A SK Hynix e Micron revelaram que, em parceria com a Qualcomm , concluíram as validações com memórias DRAM LPDDR5-9600, que serão usadas para acelerar o avanço de inteligência artificial (IA) nos smartphones lançados no futuro.
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Falando inicialmente da SK Hynix, a empresa revelou a memória LPDDR5T-9600 de 16 GB, que está sendo testada para validação pela Qualcomm no novo Snapdragon 8 Gen 3 Mobile. A memória LPDDR5T (Low-Power Double Data Rate 5 Turbo) tem capacidade de processar informações a 77GB por segundo, além de operar em baixa voltagem de 1.01~1.12V e ter tecnologia HKMG (High-K Metal Gate).
Já a Micron enviou a memória LPDDR5X-9600 de 16 GB para testes e validação com o Snapdragon 8 Gen 3 Mobile. A LPDDR5X (Low-Power Double Data Rate 5X) da Micron trabalha em baixa voltagem e oferece um pico de largura de banda 12% maior que a geração anterior.
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A Qualcomm revelou durante o Snapdragon Summit 2023 que o Snapdragon 8 Gen 3 chega com ganhos de até 30% em comparação com a geração anterior , além de eficiência energética 20% maior. Então é possível que os próximos produtos com o Snapdragon 8 Gen 3 no mercado já tenham as memórias da SK Hynix e Micron.
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