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Joeng Gi-Tae, vice-presidente das Fundições Samsung , revelou recentemente que primeiros chips fabricados utilizando processo SF1.4 de 1,4 nm irã contar com 4 nanofolhas GAA (Gate-All-Around) . Além de trazer uma camada adicional de transistores, os chips em 1,4 nm estão previstos para chegar ao mercado em 2027.
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Em entrevista ao The Elec, Gi-Tao trouxe alguns detalhes sobre o mapa de lançamentos para os próximos anos. A Samsung foi a primeiro empresa a utilizar efetivamente as camadas de transistores GAA, que possibilitam reduzir litografias de forma mais eficiente e em saltos maiores do que os possíveis utilizando FinFET.
Escalonando o mercado de semicondutores
Por essa razão, ela também foi uma das primeiras a apresentar chips em 3 nm com processo SF3E , até então voltados principalmente para componentes de mineração de criptomoedas. No entanto, com a evolução para a tecnologia SF3, é esperado que já em 2024 eles comecem a produzir silício para uma variedade maior de dispositivos, inclusive para o mercado doméstico.
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Segundo o planejamento da empresa, chips fabricados em FinFET e GAA devem coexistir até, pelo menos, 2025, ano em que a Samsung pretende estar na última otimização do SF3. Em paralelo, é esperado que no mesmo ano seja implementado o processo SF2, que além de utilizar GAA deve contar com um sistema de alimentação mais otimizado, afetando, inclusive, a densidade de transistores por folha.
Este é o ponto-chave para o desenvolvimento da tecnologia SF1.4 em 1,4 nm, que depende diretamente de uma maior eficiência energética e de um aproveitamento melhor da área dos chips.
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Vale lembrar que Intel e TSMC também têm planos similares de redução de litografia. Supostamente, a fabricante taiwanesa estaria enfrentando problemas para adotar a tecnologia GAA . Já a Intel , com arquitetura própria de transistores em RibbonFET, planeja ter os processos Intel 20A e 18A, respectivamente em 2 nm em 1,8 nm, prontos para serem implementados já a partir do segundo semestre em 2024 .
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