![Intel Xeon Platinum de entrada trazem 48 núcleos e dobro de cache L2 Intel Xeon Platinum de entrada trazem 48 núcleos e dobro de cache L2](https://i0.statig.com.br/bancodeimagens/2h/13/xr/2h13xrbbq7wvbf120dcf8fc20.jpg)
As novas CPUs Intel Xeon Platinum Emerald Rapids para servidores terão contagem de núcleos acima do esperado para o segmento. Pelo menos é isso o que revela o banco de dados do Geekbench. Os chips 8558P e 8558C trarão 48 núcleos, 96 threads, clock base de 2,7 GHz e 2,9 GHz e boost de, pelo menos, 4 GHz.
A principal diferença entre estes modelos e vazamentos anteriores é a quantidade de cache da CPU. Os chips 8558U , que também surgiram no Geekbench no começo de novembro, traziam 260 MB de cache L3 e 96 MB de cache L2, enquanto os Xeon Platinum 8558P/C contam com apenas 16 MB de cache L3, mas dobram a quantidade de cache L2 para 192 MB.
[GB5 CPU] Unknown CPU
CPU: INTEL XEON PLATINUM 8551C (48C 96T)
Min/Max/Avg: 3119/3173/3170 MHz
CPUID: C06F2 (GenuineIntel)
Single: 1367
Multi: 48339 https://t.co/UAJ0CoDTqw-
— Benchleaks (@BenchLeaks) November 25, 2023
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Segmentação em diferentes frentes
A diferença entre os tipos de memória cache é, essencialmente, a sua velocidade. Enquanto a memória L3 é mais lenta e compartilhada entre todos os núcleos do processador, a L2 é consideravelmente mais rápida e vinculada diretamente a cada núcleo.
De maneira geral, em cargas de trabalho constantes, um volume maior de cache L3 costuma ser o suficiente para alocar as instruções gerais da CPU, enquanto os módulos L1 e L2 podem ser menores, armazenando instruções mais direcionadas.
Ao que tudo indica, um dos focos da Intel para a 5ª geração de processadores Xeon, com lançamento dia 14 de dezembro , é criar segmentos de produtos para nichos diferentes, sem obrigatoriamente elevar a contagem de núcleos. A diferença considerável no volume de memórias L2 ainda sugere que a nova geração traz um nível extra de escalabilidade de desempenho, que pode resultar em um portfólio mais robusto, mais focado em otimização de recursos que em elevar a densidade de transistores.
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