A Samsung iniciou a produção em massa de chips de três nanômetros. A nova litografia, baseada na arquitetura GAA (Gate-All-Around), promete um aumento de desempenho de até 23% quando comparado aos chips de cinco nanômetros. Curiosamente, a gigante sul-coreana sai na frente da TSMC, sendo a primeira fabricante a adotar esse novo padrão.
Os chips de três nanômetros da Samsung estão sendo construídos na arquitetura Gate-All-Around (GAA), que permite encolher os transistores sem prejudicar a capacidade de transportar corrente. Essa tecnologia é uma evolução do padrão FinFET.
A empresa afirma que a primeira geração de chips de três nanômetros pode oferecer diversos benefícios quando comparado à litografia de cinco nanômetros, como aumento de desempenho de até 23%, 45% menos gasto de energia e redução de área de uso de 16%.
Quanto à segunda geração, a sul-coreana revelou informações animadoras, como 50% menos gasto de energia, até 30% mais desempenho e redução de área de uso de 35%. Ou seja, parece que a Samsung está comprometida em entregar os melhores chips do mercado. Resta saber como eles vão se comportar no uso diário.
Por enquanto, esses componentes serão destinados à computação de alto nível, mas a empresa garantiu a expansão para processadores de smartphones. Com o início da fabricação, a Samsung supera a Taiwan Semiconductor Manufacturing Company (TSMC), que só pretende adotar o novo processo no segundo semestre deste ano.
Ainda não há informações sobre qual processador móvel da marca terá a nova litografia, mas considerando que ela será destinada a celulares topo de linha, existe a possibilidade de chegar ao sucessor do Exynos 2200, oficializado em janeiro deste ano. Se isso acontecer, os modelos da linha Galaxy S23 podem ser os primeiros com chip de três nanômetros.